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供应IRF540N IRF540NPBF 场效应管 大功率场效应管 IRF

型号/规格:IRF540N 品牌/商标:IR 封装形式:P-DIT *类别:无铅*型 安装方式:IR/国际整流器 包装方式:盒带编带包装 功率特征:大功率

供应HFA08TB60TRPBF原装现货 原装IR品牌

型号/规格:HFA08TB60TRPBF 品牌/商标:IR

供应IR1150STR

型号/规格:供应IR1150STR 品牌/商标:IR

现货*供应 IRFP150N 场效应管 大功率场效应管 IRF ir fsc

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFP150NPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:100（V） 夹断电压:100（V） 跨导:35（μS） *间电容:38（pF） 低频噪声系数:20（dB） 漏*电流:25（mA） 耗散功率:20（mW）

*现货供应*原装，IRFP460PBF

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFP460APBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT*缘栅比* 开启电压:500（V） 夹断电压:200（V） 跨导:10（μS） *间电容:20（pF） 低频噪声系数:30（dB） 漏*电流:35（mA） 耗散功率:25（mW）

现货*供应 IRG*C20KD 场效应管 大功率场效应管 IRF ir fsc

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRG*C20KDPBF 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:IGBT*缘栅比* 开启电压:1200（V） 夹断电压:600（V） 跨导:30（μS） *间电容:25（pF） 低频噪声系数:20（dB） 漏*电流:35（mA） 耗散功率:20（mW）